Datasheet下载- 型号： 3EZ36D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ36D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ36D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ36D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ36D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ36D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现属Microchip Technology）的3EZ36D2E3/TR8是一款36V、1W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±2%精密容差（“D2”后缀）和AEC-Q200认证（适用于汽车级应用）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为传感器、ADC/DAC、电源管理IC等提供稳定参考电压（36V），常见于工业控制板、PLC模块及通信设备的辅助电源轨。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于保护后级电路免受瞬态浪涌（如负载突卸、ESD）影响，适用于DC-DC转换器输入端或电池管理系统（BMS）的高压监测回路。 3. 汽车电子：凭借AEC-Q200认证，广泛用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动电路中的稳压/钳位环节，满足12V/24V系统中36V峰值电压防护需求。 4. 电源反馈环路：在隔离式反激或正激电源中，作为次级侧电压采样与误差放大器的基准源，提升输出精度与稳定性。 该器件具备低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）及高可靠性，适用于对长期稳定性与环境适应性要求较高的中高功率场景。注意：需确保功耗不超过1W（建议降额至0.7W以上长期使用），并合理布局散热路径。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 36V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ36D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 27.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 36V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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