Datasheet下载- 型号： 3EZ33D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ33D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ33D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ33D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ33D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ33D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ33D10/TR12是一款33V、1W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，卷带包装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低压模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路）提供稳定33V基准电压，适用于对精度要求适中、功耗较低的场合。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端或敏感IC供电轨的钳位保护，防止瞬态过压（如ESD、开关噪声）损坏后级器件。 3. 浪涌吸收与箝位电路：在继电器线圈、电感负载关断时吸收反向电动势，或在通信接口（如RS-232/485收发器）中限制信号电压摆幅，提升系统鲁棒性。 4. 电源反馈环路：在低成本线性稳压器（如78xx系列辅助电路）或光耦反馈电路中，作为误差检测或电压采样元件。 需注意：该器件为通用型齐纳管，不适用于高精度或低温漂场景；实际应用中应校核功耗（≤1W）、散热条件及温度系数影响，并建议查阅Microchip官方数据手册确认最新电气参数与可靠性规范。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 33V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ33D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 25.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
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