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  • 型号: 3EZ30DE3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ30DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ30DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ30DE3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ30DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ30DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ30DE3/TR12是一款30V、3W表面贴装齐纳二极管(单管),采用DO-214AC(SMA)封装,符合AEC-Q101汽车级可靠性标准(部分批次),具有低动态阻抗、良好温度稳定性和高浪涌耐受能力。

其典型应用场景包括:  
1. 电压基准与稳压:在低压电源系统中为ADC参考源、传感器供电或运算放大器偏置电路提供稳定的30V基准电压;  
2. 过压保护(OVP):与TVS或串联限流电阻配合,用于保护后级IC(如MCU、通信接口芯片)免受瞬态过压(如负载突降、感应尖峰)损害;  
3. 电源钳位与箝位电路:在开关电源反馈环路、DC-DC转换器输出端或电机驱动电路中,限制电压波动范围,防止器件击穿;  
4. 工业与汽车电子:适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)、工业PLC输入/输出接口等对可靠性和温度适应性(-65℃~+175℃)要求较高的场景;  
5. 替代传统插件齐纳管:因采用SMA封装,适合自动化贴片生产,广泛用于空间受限的紧凑型电源板设计。

注意:该型号为“E3”后缀,代表符合JEDEC标准的无卤素、符合RoHS规范版本,TR12表示卷带包装(12,000只/卷),便于SMT产线使用。实际应用中需配合适当限流电阻,并考虑功耗与散热条件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 30V 20% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ30DE3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 22.5V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±20%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

30V

阻抗(最大值)(Zzt)

16 欧姆

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