Datasheet下载- 型号： 3EZ3.9DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.9DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.9DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.9DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.9DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.9DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ3.9DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 3.9V、500mW 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，符合 AEC-Q200 可靠性标准（部分批次），广泛用于中小功率稳压与基准应用。其典型应用场景包括： 1. 电源电压钳位与过压保护：在低压模拟电路或数字I/O接口中，将瞬态电压限制在3.9V，防止后级器件（如MCU、传感器）因浪涌或ESD受损； 2. 低成本电压基准源：为ADC参考、比较器阈值设定或偏置电路提供稳定基准电压（需配合限流电阻，精度约±5%，温度系数约−1.5 mV/°C）； 3. 稳压调节辅助：在LDO或开关电源的反馈环路中作简易分压基准，或为小电流负载（≤50mA）提供局部稳压； 4. 工业与汽车电子：凭借宽温范围（−65°C 至 +175°C）和高可靠性，适用于车载传感器模块、PLC输入保护、电机驱动控制板等严苛环境。 注意：该器件为通用型齐纳管，不适用于高精度或低噪声场合；实际使用需严格计算功耗（P = Vz × Iz），确保不超过500mW额定功率，并选用合适限流电阻以保障稳定击穿。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.9V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.9DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 80µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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