Datasheet下载- 型号： 3EZ3.9D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.9D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.9D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.9D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.9D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.9D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ3.9D5E3/TR8是一款3.9V、5%容差、1W功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运算放大器偏置或微控制器复位电路提供稳定3.9V基准电压； 2. 过压保护与箝位：配合TVS或限流电阻，用于保护后级敏感器件（如MCU I/O口、通信接口）免受瞬态浪涌或ESD冲击，将电压箝位在约3.9V安全水平； 3. 电源反馈与调节：在线性稳压器（如78Lxx系列）或开关电源的反馈回路中，作为简易分压/检测元件，辅助实现输出电压设定或欠压锁定（UVLO）功能； 4. 信号电平转换与限幅：在音频前级、传感器信号调理电路中，限制交流信号峰值，防止运放饱和或ADC超量程； 5. 工业与汽车电子辅助电路：适用于宽温范围（-65°C ~ +175°C）的严苛环境，常用于车载仪表、PLC模块及电源监控单元中的基准/保护环节。 该器件具备高可靠性、低动态阻抗和良好温度稳定性，适合对成本、体积与鲁棒性有综合要求的中低频、中小功率应用。注意使用时需确保功耗不超过1W（需合理计算平均功耗并考虑散热）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.9V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.9D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 80µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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