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- 型号： 3EZ3.9D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.9D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.9D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.9D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.9D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.9D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ3.9D10/TR12 是一款标称稳压值为3.9V、额定功率为3W的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 低压基准电压源：在电源管理电路中为ADC、比较器或运放提供稳定参考电压（如3.9V基准），适用于对精度要求不苛刻但需低成本、高可靠性的场合。 2. 过压保护与钳位：并联于敏感电路（如MCU I/O口、传感器信号线）前端，当瞬态电压超过3.9V时导通分流，抑制浪涌或ESD冲击，配合限流电阻实现简易保护。 3. 简易稳压供电：在小电流（≤50mA）、低功耗设备（如LED指示驱动、电池供电传感器节点）中，构成低成本线性稳压电路，为后级提供近似3.9V的稳定电压。 4. 电压检测与阈值设定：用于电源上电复位（POR）、电池欠压告警等电路，通过分压+齐纳击穿特性判断电压是否达标。 该器件具有良好的温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）和重复雪崩耐受能力，适用于工业控制、消费电子、汽车电子（非安全关键系统）等中低可靠性要求场景。注意：需严格匹配限流电阻以避免超功耗，并避免长期工作在接近最大额定功率状态。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.9V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.9D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 80µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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