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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 3EZ3.6D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.6D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.6D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.6D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.6D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.6D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ3.6D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 3.6V、5%容差、0.5W 表面贴装齐纳二极管（SOD-123 封装）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）中提供稳定3.6V基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或IC供电引脚，配合限流电阻构成简易钳位电路，防止瞬态过压（如ESD或浪涌）损坏后级器件（如MCU、运放等）。 3. 电平转换与箝位：在数字接口（如I²C、GPIO）中限制信号摆幅，确保电压不超出接收端安全范围（如将5V逻辑信号箝位至3.6V以下），提升系统鲁棒性。 4. 低成本电源稳压：在小电流负载（<10mA）下为微控制器、LED驱动或实时时钟（RTC）等模块提供简单、紧凑的局部稳压，替代线性稳压器以节省空间与BOM成本。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性及AEC-Q200兼容选项（具体需查数据手册），适用于工业控制、消费电子、汽车电子（非安全关键系统）及物联网终端设备。注意：因额定功率仅0.5W，设计时需严格计算功耗并确保散热条件满足要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.6V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.6D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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