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- 型号： 3EZ3.6D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.6D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.6D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.6D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.6D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.6D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ3.6D2/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 3.6V、500mW 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR8 表示 8mm 编带）。其典型稳压电压为 3.6V（容差通常 ±5%，即 3.42V–3.78V），最大测试电流 IZT 为 76mA，动态电阻低（约 15Ω），具备良好温度稳定性与快速响应特性。 主要应用场景包括： 1. 低压电源稳压：在小功率电路中为基准电压源或IC供电提供稳定3.6V参考电压，如传感器信号调理、MCU复位电路的阈值设定； 2. 过压保护/钳位：与TVS或限流电阻配合，将瞬态电压钳位于3.6V以下，保护后级敏感器件（如I/O端口、ADC输入）免受ESD或浪涌损伤； 3. 电压检测与基准：用于电池电压监测（如锂电池待机检测）、电源OK信号生成及模拟电路中的精密偏置设置； 4. 低成本替代方案：适用于对精度要求适中、成本敏感的消费电子、工业控制板、LED驱动及通信模块等场景。 注意：该器件额定功耗仅500mW，需确保实际功耗（VZ×IZ）留有余量，并合理布局散热。不适用于大电流稳压或高精度基准需求（此时建议选用带隙基准芯片）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.6V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.6D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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