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- 型号： 3EZ3.6D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.6D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.6D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.6D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.6D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.6D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ3.6D/TR12是一款3.6V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12表示每卷12,000只）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定3.6V基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制模块。 2. 过压保护（OVP）：在电源输入端或IC供电引脚并联使用，钳位瞬态电压（如ESD或开关噪声），防止后级3.3V/3.6V逻辑器件（如MCU、FPGA I/O口）因过压损坏。 3. 浪涌抑制与箝位电路：配合TVS或限流电阻，用于通信接口（如RS-232、CAN总线收发器）的端口防护，限制反向或耦合高压至安全电平。 4. 简易稳压电源：在小电流（≤500mA）场合（如待机电源、LED偏置、实时时钟RTC供电）中替代线性稳压器，实现低成本、低噪声的局部稳压。 该器件具有±5%标称电压容差、低动态阻抗（约7Ω）、快速响应特性，但需注意其功率降额（高温下需降低功耗）及不适用于高精度或高稳定性要求场景。设计时应确保散热充分，并避免长期工作在接近3W极限状态。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.6V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.6D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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