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  • 型号: 3EZ27D2E3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ27D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ27D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ27D2E3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ27D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ27D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ27D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的 27V、3W 表面贴装齐纳二极管,采用 DO-214AC(SMA)封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括:

1. 稳压与基准电压源:在低压电源电路中为模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考、运放偏置)提供稳定27V基准电压,尤其适用于对功耗和尺寸有要求的工业控制模块。

2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,用于保护后级IC(如MCU、通信接口芯片)免受瞬态浪涌或电源异常导致的27V以上过压损坏,常见于工业电源输入端或DC-DC转换器反馈环路。

3. 电压钳位与箝位电路:在开关电源反馈网络、光耦隔离电路或PWM驱动电路中,精确钳位信号电平至27V,防止误触发或器件击穿。

4. 电池管理系统(BMS):用于多节串联锂电池组的分压监测电路中,作为27V阈值检测的基准元件(如配合比较器实现过压告警)。

该器件具备良好的温度稳定性(TC ≈ ±0.08%/°C)和可靠性,适用于工业自动化、通信电源、仪器仪表等中高可靠性场景。需注意其最大功率为3W,设计时应确保散热条件满足连续工作要求,并建议在数据手册推荐的测试电流(IZT=25mA)下使用以保证标称稳压精度。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 27V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ27D2E3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 20.6V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

27V

阻抗(最大值)(Zzt)

10 欧姆

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