Datasheet下载- 型号： 3EZ24DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ24DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ24DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ24DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ24DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ24DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ24DE3/TR12是一款24V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差、低动态阻抗和优良的热稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定24V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于工业控制板、PLC模块或通信接口（如RS-485收发器）的输入端，钳位瞬态高压，防止后级IC损坏； 3. 电源轨箝位：在开关电源反馈环路或LDO输出端作辅助稳压，抑制纹波与浪涌； 4. ESD防护辅助：在静电敏感电路中作为二级保护器件，吸收持续性过压能量（非主ESD器件，但可增强系统鲁棒性）； 5. 电池管理系统（BMS）：用于24V铅酸/锂电组的电压监测与均衡电路中的基准设定或过压告警阈值生成。 该器件因3W功率能力、高可靠性及AEC-Q200兼容性（部分批次），也适用于车载电子（如车身控制模块）、工业自动化设备及户外通信电源等对温度适应性（-65℃~+175℃）和长期稳定性要求较高的场景。需注意：实际应用中应配合适当限流电阻，并考虑功耗与散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 24V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ24DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 18.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 24V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 9 欧姆 |
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