Datasheet下载- 型号： 3EZ22D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ22D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ22D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ22D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ22D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ22D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ22D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 22V、1W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定22V基准电压，适用于对温漂和长期稳定性要求较高的工业控制模块。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC供电轨，配合TVS或限流电阻，钳位瞬态浪涌（如ESD、感性负载关断尖峰），防止后级电路（如FPGA、MCU）损坏。 3. 电源反馈环路：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，作为次级侧电压检测与误差放大基准，提升输出精度与负载调整率。 4. 工业与通信设备：广泛应用于PLC模块、基站电源、光纤收发器供电单元等需高可靠性、宽温域（-65℃~+175℃）工作的场景，得益于Microsemi器件在航天/军工领域的成熟工艺和AEC-Q200兼容性（部分批次）。 该型号具备高可靠性、低漏电流（Iz=1mA时典型值<1μA）及良好热性能，适合空间受限且需长期免维护运行的嵌入式系统。注意：实际设计中需校验功耗裕量（1W额定功率需合理降额）及PCB散热布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 22V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ22D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 16.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 22V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
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