Datasheet下载- 型号： 3EZ20DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ20DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ20DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ20DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ20DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ20DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ20DE3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的一款单齐纳二极管，标称稳压值为20 V，额定功率为3 W（DO-41封装），采用卷带包装（TR8表示每卷800只）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为基准电路、传感器供电或运放偏置提供稳定的20 V参考电压；适用于输入波动较小、负载电流较轻（≤150 mA）的线性稳压辅助环节。 2. 过压保护（OVP）钳位：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级敏感器件（如MCU I/O口、ADC输入端）免受瞬态高压冲击，将异常电压钳位于20 V附近。 3. 浪涌抑制与ESD防护：在工业控制板、通信接口（如RS-485收发器供电轨）中，作为初级箝位元件吸收感应浪涌能量（需配合保险丝或PTC使用）。 4. 模拟电路偏置：为光电耦合器、比较器或分立放大器提供固定偏置电压，利用其良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.07%/°C）和低动态阻抗（Zzt ≈ 30 Ω @ Izt=50 mA）。 注：该器件不适用于高精度基准（无修调）、大电流稳压（需散热设计）或高频开关场景。实际应用中须确保反向工作电流Iz在5–100 mA范围内以维持稳压性能，并注意DO-41封装的热降额要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 20V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ20DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 15.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 20V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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