Datasheet下载- 型号： 3EZ20D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ20D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ20D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ20D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ20D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ20D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ20D/TR8是一款20V、3W通孔式齐纳二极管（单齐纳），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8表示每卷800只）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定20V基准电压；适用于输入波动较小、负载电流较轻（≤150mA）的并联稳压场合。 2. 过压保护（OVP）：常与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棒”（Crowbar）电路，在电源异常升压时触发短路保护，防止后级器件损坏。 3. 浪涌/ESD钳位：在接口电路（如RS-232、工业I/O端口）中作为瞬态电压抑制辅助元件，限制瞬时过压至20V钳位水平，提升系统鲁棒性。 4. 反馈环路补偿：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，用于设定误差放大器基准或限幅，确保环路稳定性。 需注意：该器件为通用型齐纳，非高精度（容差通常±5%），不适用于精密基准；其3W功率需配合足够散热（如PCB铜箔散热），且长期工作建议降额至2W以内。典型应用温度范围为-65℃~+175℃，适合工业及部分汽车后装场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 20V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ20D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 15.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 20V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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