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- 型号： 3EZ200DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ200DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ200DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ200DE3/TR12 是Vishay（威世）生产的3W表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为200V（容差±5%），最大功率3W，采用DO-41封装（TR12表示卷带包装）。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：在工业电源、仪表电路或高压DC-DC转换器中，为控制电路提供200V高精度、低温度系数的参考电压（需配合限流电阻使用）。 2. 过压保护（OVP）：常用于开关电源、电机驱动或电池管理系统中，作为瞬态电压抑制辅助器件，与TVS或可控硅配合实现200V阈值的过压触发保护。 3. 浪涌箝位与电压钳位：在继电器线圈、感性负载关断回路或高压信号调理电路中，吸收反电动势，将电压箝位在200V左右，防止后级器件击穿。 4. 高压偏置与分压网络：适用于光电耦合器、高压运放或真空荧光显示器（VFD）等需要稳定高压偏置的场合。 注意事项：该器件为单齐纳结构，无内置限流电阻，实际应用中必须外接合适阻值的限流电阻以确保工作电流在额定范围内（典型测试电流IZT≈12mA），并注意散热设计（3W功耗需考虑PCB铜箔面积或散热条件）。不适用于高频或大电流动态箝位场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 875 欧姆 |
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