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- 型号： 3EZ200D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ200D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ200D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ200D5E3/TR12 是 Vishay（威世）生产的 200V、3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于工业电源、仪表或通信设备中需200V稳定参考电压的场合，如高压DC-DC转换器的反馈网络或过压保护电路中的基准点。 2. 过压保护（OVP）：可与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棒”（Crowbar）保护电路，在输入电压异常升高（如雷击、浪涌）时快速导通，触发主回路断开，保护后级敏感器件。 3. 浪涌/瞬态抑制辅助元件：虽非TVS，但常作为二级钳位器件，与MOV或TVS协同工作，在高压电源输入端提供更精确的钳位电平，提升系统鲁棒性。 4. 高压偏置与检测电路：用于光电耦合器高压侧偏置、高压采样分压网络的基准箝位，或电池管理系统（BMS）中高压电池组的电压监测参考点。 注意：该器件额定功率为3W，需确保PCB散热设计合理（如铺铜、通风），避免长期满载导致热失效；不适用于高频或大电流开关场景。实际选型应结合功耗计算、温度降额及IEC/UL安规要求综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 875 欧姆 |
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