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- 型号： 3EZ200D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ200D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ200D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ200D2E3/TR8 是 Vishay（威世）生产的 200V、1.3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-41（轴向）封装，但 TR8 表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。其核心应用场景为高压稳压与过压保护。 典型应用包括： 1. 高压电源稳压：在工业电源、LED驱动器或仪表电源中，为基准电压电路提供200V稳定参考点（需配合限流电阻使用）； 2. 浪涌/过压钳位保护：并联于敏感器件（如MCU I/O口、传感器接口）前端，吸收瞬态高压（如ESD、电感反冲），防止损坏； 3. 电压检测与箝位电路：用于开关电源反馈环路、高压采样分压网络的上限箝位，确保信号不超限； 4. 替代传统高耐压稳压方案：在空间受限且需≥200V稳压的场合，替代多个低压齐纳串联方案，提升可靠性。 注意事项：该器件最大齐纳电压容差±5%，功耗达1.3W，需保证足够散热（PCB铜箔面积或自然对流）；工作电流建议控制在5–50mA以兼顾稳定性与寿命；不适用于高频或大动态响应场景。广泛应用于工业控制、电力仪表、HVAC系统及高可靠性电源模块中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 875 欧姆 |
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