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  • 型号: 3EZ200D/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200D/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ200D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ200D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ200D/TR8 是一款额定稳压值为200V、功率为3W的单极性齐纳二极管(玻璃封装,轴向引线,卷带包装)。其主要应用场景包括:

1. 高压稳压与基准源:适用于需200V高精度稳压的模拟电路或电源反馈回路,如工业控制电源、测试仪器中的参考电压生成(需配合限流电阻使用)。

2. 过压保护(OVP)与钳位:常用于开关电源、电机驱动或继电器线圈两端,吸收瞬态高压尖峰(如感性负载关断时的反电动势),防止后级器件击穿。

3. 浪涌抑制与ESD防护辅助:在中等能量等级的瞬态抑制电路中作二级钳位元件(常与TVS或MOV配合),提升系统抗扰度。

4. 高压偏置与分压网络:在光耦隔离、高压检测或高压放大器偏置电路中提供稳定偏置点。

注意事项:该器件为玻璃封装,机械强度较低,不适用于高振动环境;需严格按规格书设计功耗(P=Vz×Iz),避免超温失效;TR8表示卷带包装,适合自动化贴片(但需确认是否为直插式玻璃封装——实际3EZ系列多为DO-41直插,非SMD,故TR8可能为特殊订制或误标,应用时应以实物和官方数据手册为准)。

综上,3EZ200D/TR8典型用于200V级、中小功率的稳压、钳位与保护场景,常见于工业电源、仪器仪表及高压接口电路中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 200V 20% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ200D/TR8

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 152V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±20%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

200V

阻抗(最大值)(Zzt)

875 欧姆

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