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- 型号： 3EZ200D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ200D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ200D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ200D/TR12 是一款额定稳压值为200V、功率为3W的单极性齐纳二极管（表面贴装型，DO-41封装，卷带包装）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准电压源：在工业电源、高压DC-DC转换器或仪表电路中，为控制电路提供稳定的200V参考电压（需配合限流电阻使用）； - 过压保护（钳位/箝位）：常用于保护后级敏感器件（如MOSFET栅极、运放输入端），当瞬态电压超过200V时导通泄流，抑制浪涌； - 浪涌吸收与电压箝位电路：适用于继电器线圈关断、感性负载开关等场景，吸收反向电动势，防止电压尖峰损坏驱动芯片； - 高压反馈环路：在开关电源（如CCM模式PFC或高压辅助电源）中，配合光耦实现原边高压侧电压采样与稳压反馈； - 测试与校准设备：作为高精度高压基准元件，用于高压探头校准、耐压测试仪的参考源等。 注意：该器件最大稳定电流约15mA（3W/200V），实际应用中需严格计算功耗与散热，避免长时间满载工作；不适用于动态响应要求极高或低噪声精密基准场合（齐纳噪声较大，温度系数相对较高）。建议搭配TVS或RC缓冲网络提升可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 875 欧姆 |
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