Datasheet下载- 型号： 3EZ19DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ19DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ19DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ19DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ19DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ19DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ19DE3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 19 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），采用卷带包装（TR8 表示每卷 8000 只）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路中，为参考电压源、比较器或ADC提供稳定19 V基准，适用于工业控制板、传感器调理电路等。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用作电源输入端的钳位器件，防止后级电路因瞬态过压（如浪涌、ESD）损坏。 3. 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、电机驱动或开关电源反馈环路中，吸收感性负载关断时产生的反向尖峰电压，将电压箝位于约19 V，提升系统可靠性。 4. 电源监控与阈值检测：结合分压网络与比较器，实现19 V阈值的电源上电/掉电检测，用于系统复位、电池欠压告警等。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.07%/°C）、低动态阻抗（≈25 Ω @ IZ=10 mA）和符合AEC-Q200（汽车级）的可靠设计（部分批次），因此也见于车载充电模块、车载信息娱乐系统电源管理等对鲁棒性要求较高的场景。注意使用时需保证散热（如PCB铜箔面积）以维持长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 19V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ19DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 14.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 19V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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