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  • 型号: 3EZ19D5E3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ19D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ19D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ19D5E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ19D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ19D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ19D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下品牌)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为19V,功率为3W,采用DO-41封装,带卷带包装(TR12)。其典型应用场景包括:

- 电压基准与稳压:在低功耗、非精密电源中作为简单并联稳压器,为参考电路、传感器偏置或小信号电路提供稳定19V基准电压。  
- 过压保护(OVP):与限流电阻配合,用作瞬态电压抑制辅助器件,钳位异常高压,保护后级敏感元件(如MCU I/O、运放输入等)。  
- 浪涌箝位与ESD防护:在工业控制、通信接口(如RS-232/485收发器)前端,吸收感应浪涌或静电放电能量(需结合TVS协同设计)。  
- 电源反馈回路:在部分反激式开关电源的光耦反馈路径中,作为辅助稳压元件,提升反馈精度与稳定性。  
- 测试与校准设备:因参数一致性较好(Microsemi工业级工艺),适用于便携式仪表、ATE测试夹具中的简易电压源模块。

注意:该器件为通用型齐纳管,不适用于高精度、低温漂或高频动态场景;实际应用需严格匹配功耗(≤3W)、散热条件及动态响应要求,并建议查阅Microchip官方最新数据手册(DS00002276)确认电气特性与可靠性指标。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 19V 5% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ19D5E3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 14.4V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

19V

阻抗(最大值)(Zzt)

7 欧姆

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