Datasheet下载- 型号： 3EZ19D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ19D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ19D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ19D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ19D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ19D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ19D2E3/TR8是一款19V、1W额定功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，表面贴装兼容（TR8表示卷带包装）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运放偏置或微控制器复位电路提供稳定19V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，钳位电源线或信号线上的瞬态高压（如ESD、浪涌），防止后级IC损坏； 3. 电源调节辅助：在简单线性稳压器（如78xx系列）输入端作预稳压或分压反馈，提升负载调整率； 4. 工业控制与通信设备：用于PLC模块、RS-485接口保护电路、电源监控电路等对成本敏感且需可靠稳压的场合； 5. 汽车电子（AEC-Q200兼容型号适用）：若该批次通过车规认证，可用于车载信息娱乐系统或车身控制单元中的12V/24V系统电压箝位。 该器件具有±5%容差、低动态阻抗（典型值≤20Ω）、良好温度稳定性（TCZ ≈ 0.06%/°C），适合中等精度、中低电流（≤50mA）稳压需求。注意需合理设计散热（PCB铜箔面积≥1cm²）以保障1W长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 19V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ19D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 14.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 19V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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