Datasheet下载- 型号： 3EZ19D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ19D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ19D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ19D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ19D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ19D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ19D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的单齐纳二极管，标称稳压值为19V，额定功率为3W（DO-41封装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：用于低压电源的简单并联稳压电路，为传感器、运放偏置或微控制器复位电路提供稳定参考电压。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态高压（如ESD、感应浪涌），保护后级敏感器件（如MCU I/O口、通信接口）。 3. 信号电平钳位：在模拟信号调理或数字接口中限制信号幅值（如将±24V工业信号钳位至0–19V范围），防止输入超限。 4. 电源反馈环路：在离线式AC-DC适配器或DC-DC转换器中，作为次级侧稳压反馈元件（常与光耦配合），实现隔离稳压控制。 5. 电池电压监测/指示：在12V/24V系统中，配合分压网络实现欠压/过压告警阈值检测。 该器件具备高可靠性、宽工作温度范围（–65°C 至 +175°C）及AEC-Q200兼容性（部分批次），适用于工业控制、汽车电子（如车身模块、照明驱动）、通信电源及军工/航天等严苛环境。注意：实际应用中需确保功耗不超过3W，并留足散热余量；TR12表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 19V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ19D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 14.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 19V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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