| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ19D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ19D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ19D10/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ19D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ19D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ19D10/TR8 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为19V,额定功率为3W(DO-41封装),容差±5%,典型动态阻抗低,具有良好的温度稳定性和浪涌耐受能力。 其主要应用场景包括: 1. 电压基准与稳压电路:用于低压电源的简单并联稳压,如为传感器、运放偏置或MCU复位电路提供稳定参考电压; 2. 过压保护(OVP):与TVS或可控硅配合,构成过压钳位电路,保护后级敏感器件(如ADC输入、通信接口)免受瞬态高压冲击; 3. 浪涌抑制与箝位:在工业控制、电源适配器及LED驱动电路中,吸收开关噪声或感应电压尖峰; 4. 信号电平限制:在模拟前端中限制信号幅值,防止ADC或比较器饱和; 5. 低成本替代方案:适用于对精度要求不高但需高可靠性、宽温范围(-65°C ~ +175°C)的军工、航天及工业环境(Microsemi产品以高可靠性著称)。 注:“/TR8”表示卷带包装(8mm载带,每卷2,000只),适用于自动化贴片生产。该器件不适用于高精度或低功耗场景(如精密基准源),推荐用于稳健性优先、成本敏感的中等功率稳压/保护场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 19V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ19D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 14.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 19V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 7 欧姆 |