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- 型号： 3EZ190D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D2E3/TR12 是 Vishay（威世）生产的 190V、1.3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-41（轴向）封装，但 TR12 后缀表明为编带卷盘包装，适用于自动化贴片生产。其典型应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：在工业电源、仪表放大器或高压DC-DC转换器中，为控制电路提供高精度、低温度系数（典型±0.08%/°C）的190V参考电压； 2. 过压保护（OVP）：配合可控硅（SCR）或MOSFET构成浪涌保护电路，用于通信设备、电力监控模块等对瞬态高压敏感的系统； 3. 电压钳位与箝位电路：在开关电源次级反馈回路、高压采样分压网络中，防止异常电压损坏光耦或控制器； 4. 测试与校准设备：作为高压基准元件，用于万用表、绝缘耐压测试仪等需要稳定高电压参考的精密仪器。 该器件具有良好的长期稳定性、低动态阻抗（Zzt ≈ 1200Ω @ Izt=5mA）和符合AEC-Q200（部分批次）的可靠性，适用于工业级及部分车载辅助系统（非主驱）。注意：需确保工作电流在5–13mA范围内以维持标称稳压值，并配备适当功率余量的限流电阻。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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