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- 型号： 3EZ190D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D10E3/TR8 是 Vishay（威世）生产的 190V、1.3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。 其主要应用场景包括： 1. 高电压稳压：适用于需稳定190V基准电压的电源电路，如工业控制电源、高压DC-DC转换器的参考电压源或过压保护阈值设定； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或三极管配合构成 crowbar 电路，在输入/输出电压异常升高（如达190V）时快速触发关断或短路保护，防止后级器件损坏； 3. 电压钳位与箝位保护：在高压脉冲环境（如继电器线圈反电动势吸收、浪涌抑制电路）中，将瞬态电压钳位于约190V，保护敏感IC或MOSFET栅极； 4. 精密基准替代（有限场景）：虽温度系数略高于基准IC，但在成本敏感、空间受限且对温漂要求不苛刻的中高压模拟电路中，可作简易电压基准使用（需注意功耗与散热）； 5. 测试与校准设备：用于高压信号发生器、绝缘耐压测试仪等设备中的电压检测与反馈环节。 注意：该器件额定功率1.3W，实际应用中需确保PCB散热良好，避免长时间满载工作；TR8表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。不适用于低压、高精度或低温漂要求严苛的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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