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- 型号： 3EZ190D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D10/TR8 是一款额定稳压值为190V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准源：在高压电源电路中提供稳定的190V参考电压，适用于工业控制、仪表电源、LED驱动器等需高精度电压基准的场合。 - 过压保护（钳位）：并联于敏感电路（如MCU输入端、传感器接口）前，当瞬态电压超过190V时导通泄流，配合限流电阻实现简单可靠的浪涌或ESD防护。 - 电压检测与箝位电路：用于开关电源反馈回路、高压采样分压网络，或作为比较器参考点，辅助实现欠压/过压告警功能。 - 替代与兼容应用：可替代同类3W高压齐纳管（如1N5388B、BZX85-C180等），适用于空间受限但需较高耐压（反向击穿电压容差±5%，典型Vz=190V）的通用电子设备。 注意：使用时须严格匹配限流电阻以确保功耗≤3W，并考虑温度漂移（TCz约+0.07%/°C）对精度的影响。不适用于高频或大电流动态调节场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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