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- 型号： 3EZ190D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D10/TR12 是一款额定稳压值为190V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准电压源：适用于需190V稳定参考电压的电源电路，如工业高压电源、测试仪器内部基准、高压DC-DC转换器的反馈分压网络。 - 过压保护与钳位电路：可并联在敏感器件（如MOSFET栅极、运放输入端）前，当瞬态电压超过190V时导通泄流，防止后级元件击穿，常用于开关电源、电机驱动或雷击防护前端。 - 浪涌吸收与电压箝位：配合TVS或RC缓冲网络，抑制感性负载关断（如继电器、电磁阀）产生的反向高压尖峰。 - 高压检测与阈值触发：在高压监测电路中作为电压比较阈值元件，用于触发告警、关机或切换逻辑（如电池管理系统中的高压告警模块）。 注意：该器件最大耗散功率为3W，需确保实际功耗（Vz × Iz）留有余量，并配合适当散热；典型动态阻抗约1.5kΩ（Iz=1mA），对精度要求高的基准应用建议选用温度系数更优的精密齐纳（如LM399类），但3EZ190D10/TR12在成本敏感、中等精度要求的工业场景中具有高性价比。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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