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  • 型号: 3EZ180D2E3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ180D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ180D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ180D2E3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ180D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ180D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ180D2E3/TR8 是 Vishay(威世)生产的 180V、3W 表面贴装齐纳二极管,采用 DO-214AC(SMA)封装,具有±2%高精度电压容差(标称齐纳电压 Vz = 180V)和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括:

1. 高压稳压与基准源:在工业电源、仪表放大器或高压传感器接口电路中,为精密模拟电路提供稳定的180V参考电压;  
2. 过压保护(OVP):与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成撬棒(Crowbar)电路,当输入电压异常升高至180V附近时触发保护,防止后级器件(如IGBT驱动、ADC前端)损坏;  
3. 浪涌箝位:在通信设备或电力监控模块的信号/电源端口,用于吸收瞬态高压脉冲(如ESD、雷击感应),将电压箝位于180V安全阈值以下;  
4. 反馈环路补偿:在高压DC-DC转换器(如192V输入→12V输出)的光耦反馈路径中,作为次级侧高电压基准,提升系统稳压精度与隔离可靠性。

该器件适用于-65℃~+175℃宽温工业环境,具备AEC-Q200兼容性(部分批次),常见于电力计量终端、光伏逆变器辅助电源、铁路信号电源及工业PLC高压检测模块等对可靠性与耐压要求严苛的场景。注意:因Vz高达180V,设计时需确保足够PCB爬电距离及散热措施(满载功耗3W)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 180V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ180D2E3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 136.8V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

180V

阻抗(最大值)(Zzt)

700 欧姆

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