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- 型号： 3EZ180D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ180D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ180D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ180D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ180D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ180D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ180D2/TR8 是一款额定稳压值为180V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准源：适用于需180V高精度电压基准的电源电路，如工业仪器、测试设备中的参考电压模块。 - 过压保护（OVP）：常与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成过压保护电路，当输入电压异常升高至180V左右时，齐纳击穿导通，触发保护器件关断主电路，保障后级设备安全（如开关电源、电机驱动板）。 - 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、感性负载关断回路中，用作瞬态电压抑制（TVS替代方案之一），将反向电动势箝位在180V，防止MOSFET/IGBT等功率器件被击穿。 - 高压偏置与分压反馈：在高压DC-DC变换器（如CCFL背光驱动、激光电源）的反馈网络中，提供稳定取样基准点。 注意：该器件为玻璃钝化结构，具有较好稳定性与可靠性，但不适用于高频或大电流动态调节场景；实际使用需确保功耗≤3W（建议降额至2.25W以上），并配备足够散热措施。不推荐用于ESD防护主通道（因响应速度与能量耐受有限）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 180V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ180D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 136.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 180V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 700 欧姆 |
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