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- 型号： 3EZ180D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ180D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ180D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ180D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ180D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ180D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ180D/TR12是一款180V、1.3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装（TR12表示编带卷装）。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需稳定180V参考电压的电源电路，如工业高压电源、测试设备中的精密分压/稳压网络。 2. 过压保护（OVP）：常与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棍”（Crowbar）保护电路，在输入电压异常升高时触发短路保护，防止后级敏感器件损坏，常见于通信电源、医疗设备及工控系统。 3. 浪涌钳位与电压箝位：在开关电源、电机驱动或继电器线圈反电动势吸收电路中，用于限制瞬态高压峰值，避免击穿MOSFET或IC。 4. 高压偏置与检测电路：为高压放大器、光电耦合器或ADC前端提供稳定偏置，或用于高压检测反馈环路中的电压采样分压基准。 需注意：该器件额定功率为1.3W，实际应用中应留足裕量并确保良好散热；180V高齐纳电压意味着需匹配高耐压外围元件，并注意漏电流和温度系数影响。典型工作电流建议控制在5–20mA以兼顾稳定性与功耗。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 180V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ180D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 136.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 180V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 700 欧姆 |
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