Datasheet下载- 型号： 3EZ170D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ170D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ170D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ170D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ170D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ170D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ170D2/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 170 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），采用 TR8 卷带包装。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需稳定高压参考的电路，如工业电源反馈回路、高压DC-DC转换器的电压检测与调节节点。 2. 过压保护（OVP）：常与晶闸管（SCR）或可控硅配合构成撬棒（Crowbar）电路，在电源异常升压（如>170 V）时触发短路保护，防止后级器件损坏。 3. 浪涌/瞬态抑制辅助元件：虽非TVS器件，但在低成本防护方案中可作为钳位元件，配合压敏电阻（MOV）或气体放电管（GDT）实现多级限压。 4. 高压偏置与分压网络：在光耦隔离驱动、高压MOSFET栅极偏置、示波器探头衰减电路等场景中提供稳定偏置电压。 5. 测试与校准设备：因参数一致性较好，可用于高压电子负载、标准源校验模块中的参考电压生成。 注意：该器件动态阻抗较高、温度系数较大（约+0.075%/°C），不适用于高精度或低温漂要求场合；设计时需充分考虑功耗（P = Vz × Iz）及散热，避免长期满负荷工作。典型应用需配合限流电阻，并确保反向电流在推荐工作区（通常5–100 mA）内以兼顾稳定性与寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 170V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ170D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 130.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 170V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 650 欧姆 |
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