Datasheet下载- 型号： 3EZ170D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ170D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ170D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ170D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ170D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ170D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ170D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为170 V，额定功率为3 W（DO-41封装），采用TR12卷带包装。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需170 V高精度、低动态阻抗稳压的电路，如工业电源、测试仪器中的参考电压生成。 2. 过压保护（OVP）与箝位电路：在开关电源、电机驱动或通信接口中，用于限制瞬态高压（如浪涌、ESD），保护后级敏感器件（如MOSFET栅极、ADC输入端）。 3. 高压偏置与泄放电路：常见于CRT显示器、激光驱动器、X射线发生器等设备中，为高压模块提供稳定偏置或构建泄放通路。 4. 反馈环路补偿：在隔离型DC-DC变换器（如反激拓扑）中，配合光耦构成次级侧稳压反馈，提升输出精度与负载调整率。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ +0.075%/°C）、低漏电流（IR ≤ 5 µA @ 136 V）和可靠的老化特性，适合工业级及高可靠性应用。注意：实际使用时需确保功耗不超过3 W（需合理降额设计），并考虑散热条件；不适用于高频动态调节场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 170V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ170D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 130.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 170V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 650 欧姆 |
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