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- 型号： 3EZ170D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ170D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ170D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ170D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ170D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ170D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ170D10/TR8 是一款额定稳压值为170V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： - 高压稳压与基准源：在工业电源、高压DC-DC转换器或仪表电路中，为控制电路（如运放参考端、ADC基准）提供高精度、低温度漂移的170V稳定参考电压。 - 过压保护（OVP）与钳位电路：常用于开关电源、电机驱动或通信接口的输入端，与TVS或限流电阻配合，将瞬态高压钳位于170V附近，防止后级器件（如MOSFET栅极、IC供电引脚）因浪涌或反电动势损坏。 - 高压反馈环路：在光耦隔离反馈式高压电源（如LED驱动电源、X射线发生器辅助电源）中，作为次级侧稳压采样元件，提升系统稳压精度和可靠性。 - 高压检测与告警电路：配合分压电阻构成高压检测网络，当被测电压超过设定阈值时触发比较器或MCU中断，实现电池组/电容组的过压监控与保护。 该器件具有良好的长期稳定性与重复击穿特性，适用于-65℃~+175℃宽温环境，常见于工业控制、电力电子、医疗设备及测试仪器等对可靠性和耐压要求较高的领域。注意使用时需确保功耗不超过3W（建议降额至2.1W以上长期工作），并合理设计散热与限流措施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 170V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ170D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 130.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 170V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 650 欧姆 |
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