Datasheet下载- 型号： 3EZ16D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ16D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ16D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ16D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ16D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ16D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ16D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 16V、1W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有 ±5% 容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC 参考源）中提供稳定16V基准电压；适用于线性稳压器的误差放大器反馈网络或分立式稳压电路。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于电源输入端的钳位保护，防止后级IC（如MCU、运放）因瞬态过压（如ESD、开关噪声）损坏。 3. 电平转换与箝位：在数字接口（如RS-232、工业I/O）中限制信号摆幅，确保逻辑电平不超出器件额定范围；也可用于运算放大器输出端的输出电压箝位。 4. 浪涌抑制与浪涌吸收：在继电器线圈、小功率电磁阀等感性负载关断时，提供续流路径并钳位反向电动势，抑制电压尖峰。 该器件具备AEC-Q200兼容选项（部分批次），故亦见于汽车电子中的车身控制模块（BCM）、照明驱动及车载传感器供电电路。需注意其1W功耗需配合合理PCB铜箔散热设计，且不适用于大电流稳压场景（建议工作电流≤50mA）。应用时应避免长期工作在最大额定值附近，以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 16V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ16D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 12.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 16V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5.5 欧姆 |
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