Datasheet下载- 型号： 3EZ160D5/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D5/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ160D5/TR8是一款额定功率3W、标称齐纳电压160V（容差±5%）、采用DO-41塑料封装的单齐纳二极管。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于100–200V范围的中高压电源电路，为传感器、工业控制模块或通信接口提供稳定参考电压。 2. 过压保护（OVP）：常与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棍”（Crowbar）保护电路，在输入电压异常升高（如浪涌、雷击）时快速导通，触发保险丝熔断或关断主电源，保护后级敏感器件（如FPGA、ADC等）。 3. 浪涌吸收与箝位：在开关电源、电机驱动或继电器线圈回路中，用于吸收感性负载关断时产生的高压反电动势（如>100V尖峰），防止MOSFET/IGBT击穿。 4. 高压偏置与分压调节：在光电耦合器、高压运放或真空荧光显示器（VFD）驱动电路中，提供精确偏置点或辅助稳压。 需注意：该器件最大齐纳电流约18.75mA（3W/160V），设计时须确保功耗不超限，并建议加装散热措施或串联限流电阻；TR8表示卷带包装，适用于自动贴片生产。由于Microsemi已并入Microchip，当前供货及技术文档建议查阅Microchip官网（型号兼容，参数不变）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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