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- 型号： 3EZ160D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ160D10/TR12 是一款额定稳压值为160V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： - 高压稳压与基准电压源：在高压电源电路中提供稳定的160V参考电压，适用于工业控制、仪表电源、LED驱动器或开关电源的辅助稳压回路。 - 过压保护与钳位电路：与TVS或限流电阻配合，用于吸收瞬态高压脉冲（如浪涌、ESD），保护后级敏感器件（如MCU、ADC、光耦）免受160V以上过压损伤。 - 电压检测与阈值触发：在高压检测电路中作为比较基准，配合运放或比较器实现欠压/过压报警、电池管理（如高压储能系统）、或自动关断控制。 - 反馈环路补偿：在隔离型DC-DC变换器（如反激拓扑）的次级侧，用于构建高精度稳压反馈网络（需搭配光耦），提升输出电压稳定性。 注意：该器件最大稳定电流约18.75mA（3W/160V），设计时需确保功耗不超过额定值，并留有足够降额余量；高温环境下应考虑热衰减。不适用于高频或大电流动态调节场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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