Datasheet下载- 型号： 3EZ14D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ14D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ14D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ14D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ14D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ14D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ14D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为14 V，额定功率为3 W（DO-41封装），采用TR12卷带包装，适用于自动化贴片生产。 其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为基准源、误差放大器或ADC/DAC提供稳定参考电压； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棍”（crowbar）电路，在电源异常升高时快速短路输出，保护后级敏感器件； 3. 浪涌钳位：在信号线或电源入口处限制瞬态电压（如ESD、EFT），防止超过IC耐压极限； 4. 反馈环路稳压：用于离线式开关电源（如反激变换器）的初级侧反馈网络，辅助实现输出电压调节； 5. 工业与通信设备：常见于PLC模块、传感器接口、RS-485收发器供电端等对可靠性及温度稳定性要求较高的场合（该器件具有较宽工作温度范围和良好长期稳定性）。 需注意：其3 W功率需配合足够散热（如PCB铜箔面积），且动态阻抗较低（典型值≈15 Ω），利于提升稳压精度。设计时应校核最大反向电流与功耗，避免热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 14V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ14D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 10.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 14V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5 欧姆 |
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