Datasheet下载- 型号： 3EZ14D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ14D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ14D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ14D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ14D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ14D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ14D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为14 V，额定功率为3 W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路中作为基准源或辅助稳压元件，为传感器、ADC参考电压或运算放大器提供稳定偏置。 - 过压保护（OVP）：常与TVS或串联限流电阻配合，用于电源输入端的瞬态电压钳位，防止后级电路受浪涌或反向电压损坏（如工业控制板、通信接口电源轨）。 - 浪涌抑制与箝位电路：在继电器线圈、电磁阀驱动等感性负载关断时，吸收反电动势，保护开关器件（如MOSFET/BJT）。 - 信号电平限制：在模拟前端或I/O接口中，限制信号幅值至安全范围（如将±15 V信号箝位至0–14 V），避免损坏MCU或FPGA输入引脚。 该器件具有良好的温度稳定性（齐纳电压温度系数约+2.5 mV/°C）、低动态阻抗及高可靠性，适用于工业自动化、电源适配器、测试仪器和车载电子（非安全关键系统）等对成本敏感且需基础稳压/保护功能的场景。注意：其为通用型齐纳管，不适用于高精度基准或高频噪声敏感场合，设计时需校核功耗与散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 14V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ14D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 10.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 14V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5 欧姆 |
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