Datasheet下载- 型号： 3EZ140D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ140D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ140D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ140D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ140D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ140D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ140D10E3/TR8是一款140V、1W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与稳压：在电源输入端或敏感电路前级，用作瞬态电压抑制辅助器件，配合TVS或保险丝，提供精确的140V钳位稳压，防止后级IC（如工业PLC接口、通信模块）因浪涌或异常电压损坏。 2. 基准电压源：在中等精度模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考分压网络）中，为比较器、运放提供稳定偏置点，适用于对温漂要求不苛刻（典型温度系数约0.07%/°C）、成本敏感的工业控制场景。 3. 反馈环路稳压：在离线式开关电源（如AC-DC适配器、LED驱动器）的次级反馈回路中，与光耦配合实现输出电压调节，尤其适用于120–150V输出范围的中小功率设计。 4. 电平转换与箝位：在数字接口（如RS-485、CAN总线收发器）中，用于限制信号摆幅或保护接收端免受反向电压冲击。 该器件不适用于高频或大电流场合（最大测试电流仅约7mA），且需注意功耗限制（1W需合理散热）。其TR8卷带包装便于自动化贴片生产，广泛应用于工业电源、通信设备、仪器仪表及汽车电子（非安全关键系统）等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 140V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ140D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 106.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 140V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 475 欧姆 |
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