Datasheet下载- 型号： 3EZ13D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ13D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ13D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ13D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ13D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ13D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ13D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为13 V，额定功率为3 W（DO-41封装），采用TR12卷带包装，适用于自动化贴片生产。 其主要应用场景包括： 1. 电源电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路或LDO辅助基准中，为比较器、ADC参考源或误差放大器提供稳定13 V基准电压； 2. 过压保护（OVP）与钳位：并联于敏感电路（如MCU I/O口、运放输入端）前，吸收瞬态浪涌或反向感应电压，将电压钳位于约13 V，防止器件击穿； 3. 浪涌抑制与ESD防护：配合TVS或限流电阻，用于工业控制板、通信接口（如RS-232/485收发器供电轨）的初级浪涌箝位； 4. 简单稳压电源：在小电流（≤200 mA）、低成本场合（如传感器模块、LED偏置电源）中，替代三端稳压器实现简易13 V稳压输出； 5. 反馈环路补偿：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈网络中，用作稳压检测点或VCC辅助稳压元件。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.07%/°C）和低动态阻抗，适合对成本敏感、空间受限且无需高精度（±5%容差）的工业及消费类电子应用。注意需配合限流电阻使用，并确保功耗不超过3 W。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 13V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ13D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 9.9V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 13V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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