Datasheet下载- 型号： 3EZ130D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ130D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ130D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ130D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）生产的单齐纳二极管，标称稳压值为130V，额定功率为3W（DO-41封装），具有±2%的精密容差（“D2”后缀表示该精度），并采用卷带包装（TR8）。 其典型应用场景包括： - 高压稳压与基准源：在工业电源、仪表电源或高压偏置电路中，为模拟前端、ADC参考或栅极驱动提供稳定130V基准电压； - 过压保护（OVP）钳位：与TVS或限流电阻配合，用于通信设备、电力监控模块等中对130V级瞬态电压进行箝位防护； - 浪涌吸收与电压箝位电路：在继电器驱动、电磁阀控制或电机控制板中，吸收感性负载关断时产生的反向高压尖峰； - 高压反馈环路：在开关电源（如PFC预调器或高压DC-DC）的次级侧稳压反馈网络中，作为高耐压分压/稳压元件。 该器件具备良好的高温稳定性（工作结温达+175°C）、低动态阻抗及可靠的老化特性，适用于工业、能源、铁路及严苛环境下的高可靠性系统。需注意其功耗限制，设计时应确保平均功耗不超过3W，并合理散热。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 130V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ130D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 98.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 130V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 375 欧姆 |
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