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产品简介:
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3EZ130D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation(现已被 Microchip 收购)生产的单齐纳二极管,标称稳压值为130V,额定功率为3W(DO-41封装),容差±5%,典型动态阻抗低,具有良好的温度稳定性和长期可靠性。 其主要应用场景包括: 1. 高压稳压与基准源:在工业电源、仪表电源或高压偏置电路中,为精密模拟电路(如ADC参考、运算放大器偏置)提供稳定的130V基准电压; 2. 过压保护钳位:与TVS或限流电阻配合,用于通信设备、电力监控模块等场合,对瞬态高压(如雷击感应、开关浪涌)进行钳位保护; 3. 反馈环路稳压:在隔离型DC-DC变换器(如反激式高压输出)的光耦反馈侧,作为次级稳压元件,提升输出电压精度与负载调整率; 4. 电子负载与测试设备:在高压电子负载、老化测试仪中用作恒压吸收单元,实现宽电压范围下的稳定功耗吸收; 5. 医疗与航空航天电源:凭借Microsemi在高可靠性领域的认证(如AEC-Q200兼容设计、宽温工作能力),适用于要求长寿命、低失效风险的特种电源系统。 注意:该器件需配合适当限流电阻使用,避免超过3W额定功耗;高温环境下应降额设计。由于Microsemi已被Microchip整合,当前供货及技术文档建议通过Microchip官网查询最新替代型号(如Zener系列中的兼容品)及应用笔记。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 130V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ130D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 98.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 130V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 375 欧姆 |