Datasheet下载- 型号： 3EZ12D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ12D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ12D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ12D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ12D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ12D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ12D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的一款齐纳二极管，标称稳压值为12V，额定功率为3W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12表示卷带盘装）。其主要应用场景包括： - 电压基准与稳压电路：在低功耗线性稳压器或分立式稳压电路中，为运算放大器、ADC/DAC、传感器等提供稳定参考电压。 - 过压保护（OVP）与钳位：并联于敏感电路节点（如MCU I/O口、电源输入端），当瞬态电压超过12V时导通分流，抑制浪涌或ESD冲击，配合限流电阻实现简单可靠的保护。 - 电源反馈环路：用于开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈侧，与TL431等配合构成精密稳压反馈，或单独用于低成本、非隔离型DC-DC模块的输出电压箝位与误差检测。 - 信号电平限制与整形：在模拟信号调理电路中，限制信号幅值（如±12V限幅）、消除过冲，或构建简易稳压偏置点。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.075%/°C）和低动态阻抗，适用于工业控制、通信设备、消费电子及汽车电子（非安全关键系统）中的中低精度稳压与保护场合。需注意其功耗限制及散热设计，避免持续工作在接近3W条件下。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 12V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ12D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 9.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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