Datasheet下载- 型号： 3EZ120D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ120D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ120D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ120D5E3/TR8是一款120V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），具有±5%电压容差和DO-41封装（带卷带TR8包装）。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与稳压：用于电源输入端或敏感电路前级，作为钳位器件限制瞬态高压（如ESD、浪涌），防止后级IC损坏；也可在低功耗电路中提供基准电压参考（需配合限流电阻）。 2. 电压箝位与信号整形：在通信接口（如RS-232、CAN总线收发器）中，配合TVS或串联电阻实现信号电平箝位，抑制噪声或反向电压。 3. 反馈环路基准：在简易线性稳压器或开关电源的反馈分压网络中，作为高精度（相对）、高稳定性的电压基准点（注意其动态阻抗及温度系数影响）。 4. 工业控制与仪器仪表：适用于对成本敏感、可靠性要求较高的工业传感器供电调理、ADC参考电压偏置等场景。 需注意：该器件额定功率3W，但实际应用中需严格降额设计（尤其高温环境），并确保散热条件良好；其齐纳电压较高（120V），不适用于低压逻辑电路，主要面向中高压模拟/电源管理环节。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 120V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 300 欧姆 |
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