Datasheet下载- 型号： 3EZ120D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ120D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ120D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ120D10E3/TR12是一款120V、1W额定功率的单齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±10%电压容差（标称稳压值120V）和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：用于电源输入端或敏感模拟/数字电路前级，将瞬态高压（如ESD、浪涌）钳位在120V附近，防止后级器件损坏； 2. 基准电压源：在对精度要求不高的中高压场合（如工业传感器供电、简易稳压器反馈网络），提供稳定参考电平； 3. 浪涌吸收与箝位保护：配合TVS或MOV用于通信接口（如RS-485）、继电器线圈反电动势吸收、开关电源反馈环路保护等； 4. 分立式稳压辅助电路：在低压LDO或DC-DC无法直接支持高压输入时，作为预稳压或偏置电压生成元件（需注意功耗限制，最大1W，建议降额使用）。 注：该器件为通用型齐纳管，非高精度或低温漂设计，不适用于精密基准或高频应用；TR12表示卷带包装，适合自动化贴片生产。实际使用中需确保功耗≤1W（如Iz ≤ 8.3mA @ 120V），并考虑散热及长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 120V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 300 欧姆 |
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