Datasheet下载- 型号： 3EZ11D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ11D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ11D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ11D2E3/TR8是一款11V、1W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，卷带包装）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为运算放大器、ADC/DAC或传感器电路提供稳定11V参考电压；常用于线性稳压器的误差放大器反馈网络或并联稳压电路。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态电压（如ESD、开关噪声），保护后级敏感IC（如MCU I/O口、通信接口）免受11V以上浪涌损伤。 3. 信号电平箝位：在模拟信号调理电路中限制信号摆幅（如将±12V信号箝位至0–11V范围），防止运放饱和或ADC输入超量程。 4. 电源监控与阈值检测：配合比较器构成11V欠压/过压检测电路，用于系统上电复位（POR）、电池电量监测或电源健康状态告警。 5. 工业与通信设备：适用于工业PLC模块、RS-485收发器供电端、LED驱动恒压偏置等对成本敏感、中等精度（容差±5%）且需1W功率能力的场景。 注：该器件为通孔式DO-41封装（非SMD），TR8表示卷带包装，实际应用中需注意PCB布局散热及焊接工艺。Microsemi已整合入Microchip，技术支持及替代型号可参考Microchip官网。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 11V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ11D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 8.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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