Datasheet下载- 型号： 3EZ110D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110D5/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为110V，额定功率为3W（DO-41封装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：在电源输入端或敏感模拟/数字接口处，用作瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合TVS或MOV实现多级防护，限制异常高压（如雷击感应、开关浪涌）至安全电平。 2. 高电压稳压参考源：适用于工业控制、仪表放大器、ADC基准分压网络等对中等精度110V基准有需求的场合（需配合限流电阻使用）。 3. 反馈环路电压箝位：在开关电源（如反激式变换器）的光耦反馈或初级侧电压检测电路中，用于限制反馈信号电压，防止控制器误动作。 4. 电子负载与测试设备：在高压测试夹具或可编程电子负载中，作为固定电压箝位点，保障被测设备或测量电路安全。 需注意：该器件非TVS专用，不适用于高速ESD防护；实际应用中须严格计算功耗（P = Vz × Iz），确保不超过3W额定功率，并选用合适限流电阻以避免热失效。Microsemi原厂已停产该型号，当前多为库存或替代方案（如Microchip的ZMM系列），设计时建议评估长期供货风险并考虑兼容替代型号。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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