Datasheet下载- 型号： 3EZ110D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110D2/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为110V，额定功率为3W（DO-41封装），采用TR8卷带包装。其主要应用场景包括： 1. 过压保护与箝位电路：用于电源输入端或敏感电路前级，将瞬态高压（如雷击、开关噪声）箝位在110V附近，防止后级器件损坏。 2. 基准电压源：在中高压模拟电路（如工业传感器信号调理、高压电源反馈环路）中，提供稳定参考电压（需配合限流电阻及滤波使用）。 3. 浪涌吸收与泄放：配合TVS或MOV用于通信设备、电力仪表、电机驱动等场合的浪涌防护辅助电路，实现能量泄放与电压限制。 4. 线性稳压器辅助电路：在高压LDO或分立稳压设计中，作为误差放大器的偏置或基准分压网络的一部分。 5. 测试与校准设备：因其较高且稳定的击穿电压，适用于高压测试仪、绝缘耐压检测模块中的电压监测与保护单元。 注意：该器件为玻璃钝化齐纳管，具备较好温度稳定性与可靠性，但需严格控制功耗与散热；实际应用中须确保工作电流在推荐范围内（典型测试电流IZT=25mA），并预留足够电压裕量以避免误触发。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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