Datasheet下载- 型号： 3EZ110D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的一款单齐纳二极管，标称稳压值为 110 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），采用 TR12 卷带包装，适用于自动化贴片生产。 其主要应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：在电源输入端或敏感模拟/数字电路前，用作瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合TVS或MOV实现多级防护，将异常高压钳位于110 V附近，防止后级器件击穿。 2. 基准电压源：在中高压、低精度要求的模拟电路（如工业传感器信号调理、简单反馈环路）中提供稳定参考电压（需配限流电阻及滤波）。 3. 浪涌吸收与泄放回路：用于继电器线圈、电感负载关断时的能量泄放，或与RC网络配合构成缓冲吸收电路，抑制反向电动势。 4. 分立式稳压电路：在小电流（≤25 mA）、非精密场合（如LED驱动偏置、MCU上电复位检测阈值设定）中替代低压差稳压器，降低成本与体积。 需注意：该器件为通用型齐纳管，温度系数较大（典型±0.08%/°C），动态阻抗较高，不适用于高精度、低温漂或大电流稳压场景；实际应用中须严格计算功耗、散热及限流电阻值，并留足电压裕量以应对容差（±5%）和温漂影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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